STD70N10F4
Billedet kan være repræsentation.
Se specifikationer for produktoplysninger.

STD70N10F4

Producentens varenummer
STD70N10F4
Producent / Mærke
STMicroelectronics
Beskrivelse
MOSFET N-CH 100V 60A DPAK
Dataark

STD70N10F4 PDF - English

STD70N10F4 PDF - Italia

STD70N10F4 PDF - Deutsch

STD70N10F4 PDF - Suomi

RoHs Status
Lead free / RoHS Compliant
Serie
DeepGATE™, STripFET™
Antal
78123
  • 1 pcs

    0.29506
  • 2,500 pcs

    0.23878

Produktegenskaber

Varenummer STD70N10F4
Fabrikant STMicroelectronics
Beskrivelse MOSFET N-CH 100V 60A DPAK
Serie DeepGATE™, STripFET™
Del Status Active
FET Type N-Channel
Teknologi MOSFET (Metal Oxide)
Afløb til Source Voltage (VDSS) 100V
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C 60A (Tc)
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19.5 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 85nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 5800pF @ 25V
FET-funktion -
Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
Driftstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype Surface Mount
Leverandør Device Package DPAK
Pakke / tilfælde TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Du kan også være interesseret i

MRFE6VP6300HSR3

NXP USA Inc.

FET RF 2CH 130V 230MHZ NI780S-4

MRFE6VP8600HR6

NXP USA Inc.

FET RF 2CH 130V 860MHZ NI1230H

MRFE6VP8600HSR6

NXP USA Inc.

FET RF 2CH 130V 860MHZ NI1230S

BLF8G22L-160BV,112

NXP USA Inc.

TRANSISTOR CDFM6

BLF8G22L-160BV,118

NXP USA Inc.

TRANSISTOR CDFM6

MRF6V13250HR3

NXP USA Inc.

FET RF 120V 1.3GHZ NI-780