BAT54LT1G
Billedet kan være repræsentation.
Se specifikationer for produktoplysninger.

BAT54LT1G

Producentens varenummer
BAT54LT1G
Producent / Mærke
ON Semiconductor
Beskrivelse
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23-3
Dataark

BAT54LT1G PDF - English

BAT54LT1G PDF - Italia

BAT54LT1G PDF - Deutsch

BAT54LT1G PDF - Suomi

RoHs Status
Lead free / RoHS Compliant
Serie
-
Antal
2140401
  • 1 pcs

    0.01077
  • 3,000 pcs

    0.01097
  • 6,000 pcs

    0.00989
  • 15,000 pcs

    0.00860
  • 30,000 pcs

    0.00774
  • 75,000 pcs

    0.00688
  • 150,000 pcs

    0.00573

Produktegenskaber

Varenummer BAT54LT1G
Fabrikant ON Semiconductor
Beskrivelse DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23-3
Serie -
Del Status Active
Diodetype Schottky
Spænding - DC-omvendt (Vr) (Max) 30V
Nuværende - Gennemsnitlig Rectified (Io) 200mA (DC)
Spænding - Videresend (Vf) (Max) @ Hvis 800mV @ 100mA
Hastighed Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr) 5ns
Nuværende - Reverse Lækage @ Vr 2µA @ 25V
Kapacitans @ Vr, F 10pF @ 1V, 1MHz
Monteringstype Surface Mount
Pakke / tilfælde TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Leverandør Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Driftstemperatur - Junction -55°C ~ 125°C

Du kan også være interesseret i

FEPB6AT-E3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE ARRAY GENERAL PURPOSE

FEPB6BT-E3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE ARRAY GENERAL PURPOSE

1PS184,135

NXP USA Inc.

DIODE ARRAY GP 80V 215MA SMT3

1PS184,115

NXP USA Inc.

DIODE ARRAY GP 80V 215MA SMT3

1PS226,135

NXP USA Inc.

DIODE ARRAY GP 80V 215MA SMT3

1PS226,115

NXP USA Inc.

DIODE ARRAY GP 80V 215MA SMT3